[实用新型]一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管有效
申请号: | 201620706248.4 | 申请日: | 2016-06-28 |
公开(公告)号: | CN205985074U | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 唐莹;张璇;韦一;彭应全;丁思晗;钱宏昌;杨玉环 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江省杭州市江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供的一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管,包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9);其中柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成;构成栅电极的材料为ITO,构成漏电极的材料为银纳米线,构成漏电极修饰层的材料为LiF,构成发光层的材料为Alq3,构成场效应半导体层的材料为酞箐铜,构成空穴传输层的材料为NPB,构成源电极为网状金属金,构成绝缘层的材料为PVA,构成衬底的材料为PI或者PET。 | ||
搜索关键词: | 一种 垂直 沟道 柔性 有机 发光 场效应 晶体管 | ||
【主权项】:
一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管,其特征在于,包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9);其中:柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-52 ..器件的零部件
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