[实用新型]一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管有效

专利信息
申请号: 201620706248.4 申请日: 2016-06-28
公开(公告)号: CN205985074U 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 唐莹;张璇;韦一;彭应全;丁思晗;钱宏昌;杨玉环 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省杭州市江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提供的一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管,包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9);其中柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成;构成栅电极的材料为ITO,构成漏电极的材料为银纳米线,构成漏电极修饰层的材料为LiF,构成发光层的材料为Alq3,构成场效应半导体层的材料为酞箐铜,构成空穴传输层的材料为NPB,构成源电极为网状金属金,构成绝缘层的材料为PVA,构成衬底的材料为PI或者PET。
搜索关键词: 一种 垂直 沟道 柔性 有机 发光 场效应 晶体管
【主权项】:
一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管,其特征在于,包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9);其中:柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成。
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