[实用新型]一种DFB激光器的外延结构有效
申请号: | 201620685787.4 | 申请日: | 2016-07-01 |
公开(公告)号: | CN205752984U | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 单智发 | 申请(专利权)人: | 单智发 |
主分类号: | H01S5/12 | 分类号: | H01S5/12;H01S5/343 |
代理公司: | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人: | 汤云武 |
地址: | 361000 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种DFB激光器的外延结构,包括InP衬底,在InP衬底上自下而上依次设置有缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、第二缓冲层、腐蚀阻挡层、包层和光栅层;在光栅层上面设置有二次外延层,所述二次外延层自下而上包括光栅包层、势垒渐变层和欧姆接触层,所述光栅包层包括光栅覆盖层和过渡层,所述光栅覆盖层厚度比光栅层厚度大1.5nm‑8nm。进一步,所述欧姆接触层的上端面为单脊波导结构;优选所述光栅层的波长为1100nm。本实用新型能防止光栅层被刻蚀,提升DFB激光器外延结构品质,降低DFB激光器的应用成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 dfb 激光器 外延 结构 | ||
【主权项】:
一种DFB激光器的外延结构,包括InP衬底,在InP衬底上自下而上依次设置有缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、第二缓冲层、腐蚀阻挡层、包层和光栅层;在光栅层上面设置有二次外延层,其特征在于:所述二次外延层自下而上包括光栅包层、势垒渐变层和欧姆接触层,所述光栅包层自下而上包括光栅覆盖层和过渡层,所述光栅覆盖层厚度比光栅层厚度大1.5nm‑8nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于单智发,未经单智发许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620685787.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能光伏发电系统应用在喷水设备上的供电装置
- 下一篇:油灯蜡烛