[实用新型]具有用于嵌入式装置的蚀刻沟槽的半导体装置有效
申请号: | 201620667162.5 | 申请日: | 2016-06-29 |
公开(公告)号: | CN206022346U | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 柳智妍;金本吉;新及补 | 申请(专利权)人: | 艾马克科技公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/52 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司11408 | 代理人: | 林柳岑,王兴 |
地址: | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种具有用于嵌入式装置的蚀刻的沟槽的半导体装置被揭示,并且例如可以包含基板,其包括顶表面以及底表面;沟槽,从所述底表面延伸到所述基板中;以及在所述基板中的重分布结构,其是在所述基板的所述顶表面与所述底表面之间。半导体裸片可以是耦合至所述基板的所述顶表面。电子装置可以是至少部分地在所述沟槽之内,并且电耦合至所述重分布结构。导电垫可以是在所述基板的所述底表面上。导电凸块可以是在所述导电垫上。在所述沟槽中的所述电子装置可以延伸超出所述基板的所述底表面一段距离,所述距离小于所述导电凸块从所述基板的所述底表面起算的高度。囊封剂可以封入所述半导体裸片以及所述基板的所述顶表面。所述电子装置可以包括电容器。 | ||
搜索关键词: | 具有 用于 嵌入式 装置 蚀刻 沟槽 半导体 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:基板,其包括:顶表面以及底表面;沟槽,其是从所述底表面延伸到所述基板中;以及在所述基板中的重分布结构,其是在所述基板的所述顶表面与所述基板的所述底表面之间;半导体裸片,其是耦合至所述基板的所述顶表面;以及电子装置,其是至少部分地在所述沟槽之内并且电耦合至所述重分布结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾马克科技公司,未经艾马克科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620667162.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:陶瓷静电卡盘装置
- 下一篇:一种系统级封装的立体堆叠裸片结构