[实用新型]一种碳化硅溶液法中实时监测并调整固液界面高度的装置有效
| 申请号： | 201620652451.8 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN206015132U | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 朱灿;吕宇君;窦文涛 | 申请（专利权）人： | 山东天岳晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250018 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及碳化硅溶液法领域，尤其涉及一种碳化硅溶液法中实时监测并调整固液界面高度的装置，采用一种高精密度电流计并与晶体生长系统形成电流回路的感应装置，然后再通过PID反馈回路，自动调节固液界面的高度实现；此外本装置无需人工耗时观察，避免熔融液与外界的气氛对流，避免了观察耗时久、工时长、滞后不及时等弊端，解决了溶液法中存在的这一难题，更利于生产高品质单晶SiC材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 溶液 实时 监测 调整 界面 高度 装置 | ||
【主权项】：
一种碳化硅溶液法中实时监测并调整固液界面高度的装置，其特征在于：采用一种高精密度电流计并与晶体生长系统形成电流回路的感应装置，然后再通过PID反馈回路，自动调节固液界面的高度实现；该感应装置结构如下：包括生长装置(2)，坩埚轴(7)及高精密度电流计(8)，所述的生长装置(2)包括用于容纳熔融液(6)的石墨坩埚(5)和可伸入石墨坩埚(5)内部的籽晶轴(1)；所述的籽晶轴(1)的下端为SiC籽晶基板(3)；所述的石墨坩埚(5)的外侧包裹有绝热材料(4)；所述的石墨坩埚(5)底部设置有用于支撑其的坩埚轴(7)；所述的坩埚轴(7)与生长装置(2)之间通过高精密度电流计(8)电连接，其中导线正极连接籽晶轴(1)，导线负极连接坩埚轴(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东天岳晶体材料有限公司，未经山东天岳晶体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620652451.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
