[实用新型]一种液相法生长碳化硅晶体用的石墨坩埚有效
| 申请号： | 201620650536.2 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN205907397U | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 朱灿;高超;李斌;窦文涛 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/06 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人： | 苗峻,孙亚琳 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新区新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种液相法生长碳化硅晶体用的石墨坩埚，属于碳化硅生产设备技术领域。其包括坩埚体(3)、盖在坩埚体(3)上端的坩埚盖(1)，其特征在于在所述坩埚体(3)上端的内侧壁上对应于坩埚体(3)与坩埚盖(1)之间的缝隙处设有一沿坩埚体内侧壁周向设置的环槽(2)，所述环槽(2)开口向上，所述环槽(2)的内侧边与坩埚体(3)的内侧壁封闭连接，坩埚体(3)与坩埚盖(1)之间的缝隙位于所述环槽(2)内。本实用新型结构简单，能够有效防止坩埚内的硅蒸汽自石墨坩埚和坩埚盖的缝隙处溢出，能够大大提高坩埚外的保温层的使用寿命，有利于降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 液相法 生长 碳化硅 晶体 石墨 坩埚 | ||
【主权项】：
一种液相法生长碳化硅晶体用的石墨坩埚，包括坩埚体(3)、盖在坩埚体(3)上端的坩埚盖(1)，其特征在于：在所述坩埚体(3)上端的内侧壁上对应于坩埚体(3)与坩埚盖(1)之间的缝隙处设有一沿坩埚体内侧壁周向设置的环槽(2)，所述环槽(2)开口向上，所述环槽(2)的内侧边与坩埚体(3)的内侧壁封闭连接，坩埚体(3)与坩埚盖(1)之间的缝隙位于所述环槽(2)内。
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