[实用新型]改进的二极管结构有效
申请号: | 201620535378.6 | 申请日: | 2016-06-03 |
公开(公告)号: | CN205810850U | 公开(公告)日: | 2016-12-14 |
发明(设计)人: | 王婉莉 | 申请(专利权)人: | 王婉莉 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/52 |
代理公司: | 天津三元专利商标代理有限责任公司12203 | 代理人: | 郑永康 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型为有关一种改进的二极管结构,主要结构包括一具有第一表面及第二表面的陶瓷基板、数个交错形成于第二表面的切割槽,以于该些切割槽间界定出数个承载部、数个以真空溅镀方式分别形成于相邻的二承载部间的导线层、数个分别凸设于第一表面的承载部上的晶粒部、及至少一设于该第一表面供覆盖第一、二切割槽的保护层。其中切割槽包括数个第一切割槽、至少一位于第一切割槽间的第二切割槽、及与第一切割槽及第二切割槽交错成型的第三切割槽,且导线层延伸形成于由该第一切割槽槽底向第一表面延伸的假想线两侧。借上述结构,简化二极管的制造流程并提升二极管的导电质量。 | ||
搜索关键词: | 改进 二极管 结构 | ||
【主权项】:
一种改进的二极管结构,其特征在于,包括:一陶瓷基板,该陶瓷基板相背离的两侧分别界定一第一表面及一第二表面;数个交错形成于该第二表面的切割槽,以于该些切割槽间界定出数个承载部,且该些切割槽包括数个第一切割槽、至少一位于各该第一切割槽间的第二切割槽、及至少一与该些第一切割槽及该第二切割槽交错成型的第三切割槽;数个以真空溅镀方式分别形成于相邻的二承载部间的导线层,且该些导线层延伸形成于一假想线两侧,该假想线由该第一切割槽槽底向该第一表面延伸;数个分别凸设于该第一表面的承载部上的晶粒部;及至少一设于该第一表面的保护层,该保护层供覆盖该些第一切割槽及该第二切割槽。
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