[实用新型]绝缘栅双极晶体管(IGBT)有效
| 申请号： | 201620520332.7 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN206022371U | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 细谷拓己 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及绝缘栅双极晶体管(IGBT)。要解决的一个技术问题是提供改进的IGBT。所述IGBT包括栅极沟槽；发射极沟槽；电绝缘层，所述电绝缘层耦接至所述发射极沟槽以及所述栅极沟槽并且使所述栅极沟槽与导电层电隔离；以及所述电绝缘层中的开口，所述开口延伸到所述发射极沟槽内并且所述导电层通过所述开口与所述发射极沟槽电耦接；其中所述栅极沟槽、所述发射极沟槽、所述电绝缘层和所述导电层形成所述绝缘栅双极晶体管(IGBT)的至少一部分。通过本实用新型，可以实现改进的IGBT。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 igbt | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管IGBT，其特征在于：所述IGBT包括：栅极沟槽；发射极沟槽；电绝缘层，所述电绝缘层耦接至所述发射极沟槽以及所述栅极沟槽并且使所述栅极沟槽与导电层电隔离；以及所述电绝缘层中的开口，所述开口延伸到所述发射极沟槽内并且所述导电层通过所述开口与所述发射极沟槽电耦接；其中所述栅极沟槽、所述发射极沟槽、所述电绝缘层和所述导电层形成所述绝缘栅双极晶体管IGBT的至少一部分。
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