[实用新型]适用于射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装结构

摘要

本实用新型涉及一种适用于射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装结构，包括有衬底，其特点是：衬底上方设置有盖板，盖板上设置有封装腔，盖板与衬底的接触端从上至下依次设置有粘附层、阻挡层、金属层、In层，衬底与盖板的接触端从下至上依次设置有粘附层、阻挡层、金属层，盖板与衬底的结合处的外围分布有密封组件，密封组件上连接有导通组件，衬底上分布有键合对准标记。由此，满足低温键合的需要，可实现低温封装，不会影响射频器件的正常使用。同时，通过密封组件与导通组件的相互配合，解决了引线横向互连的问题，封装还具有良好的机械强度与气密性。

主权项

适用于射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装结构，包括有衬底(1)，其特征在于：所述衬底(1)上方设置有盖板(2)，所述盖板(2)上设置有封装腔(3)，所述盖板(2)与衬底(1)的接触端从上至下依次设置有粘附层(4)、阻挡层(5)、金属层(6)、In层(7)，所述衬底(1)与盖板(2)的接触端从下至上依次设置有粘附层(4)、阻挡层(5)、金属层(6)，所述盖板(2)与衬底(1)的结合处的外围分布有密封组件，所述密封组件上连接有导通组件，所述衬底(1)上分布有键合对准标记。