[实用新型]常关断型HEMT晶体管有效
| 申请号： | 201620498360.3 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN205752181U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | F·尤克拉诺;A·帕蒂;A·基尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本实用新型涉及常关断型HEMT晶体管。一种常关断型HEMT晶体管包括：半导体异质结(4、6、200)，其至少包括一个第一层(4)和一个第二层(6)，第二层布置在第一层的顶部上；沟槽(15)，其延伸穿过第二层和第一层的一部分；导电材料的栅极区(10)，其在沟槽中延伸；以及介电区(18)，其在沟槽中延伸，涂覆栅极区并且接触半导体异质结。沟槽的一部分由形成至少一个第一台阶(Pb1、Pl1、Pb2)的横向结构(LS)横向定界。半导体异质结形成第一台阶的第一边缘(E1)和第二边缘(E2)，第一边缘由第一层形成。 | ||
| 搜索关键词： | 常关断型 hemt 晶体管 | ||
【主权项】：
一种常关断型HEMT晶体管，其特征在于，包括：‑半导体异质结，其至少包括一个第一层和一个第二层，所述第二层布置在所述第一层的顶部上；‑沟槽，其延伸穿过所述第二层和所述第一层的一部分；‑导电材料的栅极区，其在所述沟槽中延伸；以及‑介电区，其在所述沟槽中延伸，涂覆所述栅极区，并且接触所述半导体异质结；其中，所述沟槽的一部分被横向结构横向定界，所述横向结构形成至少一个第一台阶；并且其中，所述半导体异质结形成所述第一台阶的第一边缘(E1)和第二边缘(E2)，所述第一边缘由所述第一层形成。
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