[实用新型]一种超低电容TVS二极管有效
| 申请号： | 201620224526.2 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN205582945U | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杨忠武 | 申请（专利权）人： | 上海安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种超低电容电子产品ESD保护的瞬态抑制保护器（TVS）二极管，此器件采用高电阻率的硅片来降低二极管PN结电容，并通过注入杂质来局部调节PN结接触区的低浓度区的浓度来达到设计的低电压，既达到超低电容，低压，又保证功率良好的效果。本实用新型是在高电阻率第一种杂质的硅片上形成间隔排列深结和浅结的第二种杂质区，并在浅结的第二种杂质区下面通过注入第一种杂质来调节PN结的接触区的浓度比，达到设计的反向雪崩击穿电压。深结区形成超低电容，调整深结和浅结区面积比例和高电阻率区的电阻率达到设计的电容值；调整深结区的深度达到高的功率值。本实用新型TVS主要应用于超高频电子设备的ESD保护上，应用范围广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 tvs 二极管 | ||
【主权项】：
一种超低电容TVS二极管，其芯片是在高电阻率第一种杂质的硅片上形成间隔排列深结和浅结的第二种杂质区，并在浅结的第二种杂质区下面形成低浓度第一种杂质区，深结的结深深于低浓度第一种杂质区。
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