[实用新型]一种双层浮栅柔性有机存储器件

摘要

本实用新型涉及一种双层浮栅柔性有机存储器件，本实用新型主要由衬底、介质层、控制栅、阻挡层、第一浮栅层、隔离层、第二浮栅层、隧穿层、有机半导体层、源电极和漏电极构成，其中源电极和漏电极位于隧穿层之上。采用双层的金纳米晶作为浮栅层，有利于提高存储器件的存储窗口，增大工作电压范围；利用飞秒激光还原技术，减少中间反复沉积电极的环节，简化了生产流程，降低了生产中的污染掺杂，有利于提高产品良率；本实用新型所用的阻挡层、隔离层、遂穿层都是采用高介电常数的氧化石墨烯，可有效降低泄露电流，提升存储器件的稳定性，可降低工作电压；本实用新型所用的材料均具有柔性，可弯曲，可应用于柔性电路。本实用新型所述制备过程用到的飞秒激光还原技术、真空热蒸发和旋涂技术，工艺成熟，生产成本低，可实现大规模生产。

主权项

一种双层浮栅柔性有机存储器件，其特征在于：由下向上依次为衬底、介质层、控制栅、阻挡层、第一浮栅层、隔离层、第二浮栅层、隧穿层、源电极、漏电极和有机半导体层，其中源电极和漏电极处于同一层，且位于隧穿层之上。