[实用新型]一种采用倒装结构的GaN基双波长LED芯片有效
| 申请号： | 201620028317.0 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN205376570U | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李响 | 申请（专利权）人： | 芜湖赛宝信息产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/06;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种采用倒装结构的GaN基双波长LED芯片，包括陶瓷基板以及通过焊锡倒置安装在陶瓷基板上的LED外延片，LED外延片从上至下包括衬底、未掺杂GaN层、n型GaN层、有源层以及p型GaN层，所述有源层包括第一量子阱和第二量子阱，第一量子阱的发光波长为480nm～550nm，第二量子阱的发光波长为420nm～480nm。本实用新型的LED芯片采用倒装结构，其制作方便，光出射效率高；两种特定发光波长的量子阱所发出的光线分别为蓝光和绿光，激发特定种类的红光荧光粉得到红光，三者混合形成白光，从而达到良好的发光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 倒装 结构 gan 波长 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种采用倒装结构的GaN基双波长LED芯片，包括陶瓷基板以及通过焊锡倒置安装在陶瓷基板上的LED外延片，其特征在于：所述LED外延片从上至下包括衬底、未掺杂GaN层、n型GaN层、有源层以及p型GaN层，n型GaN层和p型GaN层上分别设有与焊锡接触的电极，所述有源层包括第一量子阱和第二量子阱，第一量子阱的发光波长为480nm～550nm，第二量子阱的发光波长为420nm～480nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芜湖赛宝信息产业技术研究院有限公司，未经芜湖赛宝信息产业技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620028317.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电瓶车电池盒
- 下一篇：一种固定性好的蓝宝石衬底
