[发明专利]含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法有效
| 申请号： | 201611269995.7 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106601670B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 姚树歆;周炜捷 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法，包括提供一个半导体衬底，在半导体衬底上淀积双重图形第二硬掩膜层；在双重图形第二硬掩膜层上覆盖一层含硅的有机硬掩膜层作为双重图形第一硬掩膜层；在双重图形第一硬掩膜层上覆盖一层含碳的有机平坦化层；在有机平坦化层覆盖一层抗反射层；在抗反射层上覆盖一层形成光刻胶层；采用非含氮刻蚀剂进行双重图形的刻蚀工艺。因此，本发明通过采用含有硅的有机旋涂物质作为光刻胶底部的抗反射层和蚀刻传递层，实现了工艺简单易行和成本减低，且精准控制工艺流程的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 无机物 有机 反射层 双重 图形 硬掩模 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S1：提供一个半导体衬底，在所述的半导体衬底上淀积双重图形第二硬掩膜层；/n步骤S2：在所述双重图形第二硬掩膜层上覆盖一层含硅的有机硬掩膜层作为双重图形第一硬掩膜层；/n步骤S3：在所述双重图形第一硬掩膜层上覆盖一层含碳的有机平坦化层；/n步骤S4：在所述有机平坦化层上覆盖一层抗反射层；其中，所述第一硬掩膜层的坚膜温度，高于所述抗反射层和含碳的有机平坦化层的坚膜温度；/n步骤S5：在所述抗反射层上覆盖一层形成光刻胶层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
