[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板在审
| 申请号： | 201611262076.7 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106684154A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 铃木浩司;陈卓;张毅先;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，其中薄膜晶体管的制备方法包括：在基板上制备多晶硅层；在所述多晶硅层上顺序制备金属膜层及层间绝缘膜；在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔并制备源漏极。上述薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，通过在多晶硅层上增加一金属膜层，能够在刻蚀过孔时，保护多晶硅层，避免多晶硅层被误刻蚀，从而提高薄膜晶体管的良品率。由于刻蚀气体对绝缘层和金属膜层具有较高选择比，无需分两阶段进行刻蚀，亦无需使用含碳较高的C4F8和C2HF5等气体，因此不会在设备腔室内生成CFx的反应性生成物，从而延长设备的维护保养周期，节省了工业生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基板上制备多晶硅层；在所述多晶硅层上顺序制备金属膜层及层间绝缘膜；在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔并制备源漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利（惠州）智能显示有限公司，未经信利（惠州）智能显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611262076.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
