[发明专利]制造嵌入式闪存单元的均匀的隧道电介质的方法

摘要

本发明实施例涉及一种形成嵌入式闪存单元的方法以及相关的装置，该方法通过提供具有相对均匀厚度的隧道介电层提供改进的性能。通过在衬底内的逻辑区、控制栅极区和选择栅极区上方形成电荷捕获介电结构来实施该方法。实施第一电荷捕获介电蚀刻工艺以在逻辑区上方的电荷捕获介电结构中形成开口，并且在开口内形成热栅极介电层。实施第二电荷捕获介电蚀刻工艺以去除位于选择栅极区上方的电荷捕获介电结构。在第二电荷捕获介电蚀刻工艺之后剩余的热栅极介电层和电荷捕获介电结构上方形成栅电极。本发明实施例涉及制造嵌入式闪存单元的均匀的隧道电介质的方法。

主权项

一种形成集成芯片的方法，包括：在衬底内的逻辑区、控制栅极区和选择栅极区上方形成电荷捕获介电结构；实施第一电荷捕获介电蚀刻工艺以在所述逻辑区上方的所述电荷捕获介电结构中形成开口；在所述开口内形成热栅极介电层；实施第二电荷捕获介电蚀刻工艺以去除位于所述选择栅极区上方的所述电荷捕获介电结构；以及在所述热栅极介电层和所述电荷捕获介电结构上方形成多个栅电极。