[发明专利]一种双脉冲频率激光分离复合SiC的方法

摘要

本发明公开了一种双脉冲频率激光分离复合SiC的方法，通过激光对复合SiC圆片进行焦点校准，首先使用第一脉冲频率激光扫描SiC外延片正面内部靠近表面处，形成第一个V槽；然后使用第二脉冲频率激光扫描SiC外延片正面内部若干不同深度，形成若干V槽；最后对扫描后的复合SiC圆片进行裂片，形成复合SiC芯片。本发明采用双脉冲频率激光分离复合SiC，降低了激光对划片槽的要求，提高了SiC芯片的良品率；第一脉冲频率激光扫描解决了划片槽有金属、介质或复合图形带来的激光进不去的问题，同时加深了第二脉冲频率激光进入的深度，且第一脉冲频率激光产生的能量小，可以实现表面低损伤处理，不会破坏表面的金属、介质或复合图形层。

主权项

1.一种双脉冲频率激光分离复合SiC的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)在SiC外延片(103)上完成复合SiC圆片的制备；(2)测量复合SiC圆片切割道区域的厚度；(3)把复合SiC圆片贴在划片膜上，划片膜设于切割片架上；(4)测量复合SiC圆片切割道区域与划片膜的总厚度；(5)用激光对复合SiC圆片进行焦点校准；(6)SiC外延片(103)正面依次是第一层介质(101)、第二层介质(102)和SiC外延片(103)；使用第一脉冲频率激光扫描SiC外延片(103)正面内部1/10处，形成第一个V槽；(7)使用第二脉冲频率激光扫描SiC外延片(103)正面内部1/4处，形成第二个V槽；正面内部1/2处，形成第三个V槽；正面内部3/4处，形成第四个V槽；(8)SiC外延片(103)背面依次是SiC外延片(103)、第一层金属(104)、第二层金属(105)、第三层金属(106)、第四层金属(107)和膜(108)；使用第二脉冲频率激光扫描第一层金属(104)和膜(108)之间的位置，形成最后一个V槽；(9)对扫描后的复合SiC圆片进行裂片，形成复合SiC芯片。