[发明专利]一种气体团簇离子束修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法在审
| 申请号： | 201611191829.X | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108232007A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种气体团簇离子束修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法：步骤一：提供底电极基底，并在基底上沉积磁性隧道结多层膜和硬掩模膜层；步骤二：图形化定义磁性隧道结图案，刻蚀磁性隧道结；步骤三：气体团簇离子束对刻蚀之后的磁性隧道结侧壁进行修剪以除去侧壁损伤/沉积层；步骤四：沉积电介质，化学抛光磨平电介质直到硬掩模的顶部。由于气体团簇离子束的横向溅射行为，团簇或者原子能够到达被图案化的磁性隧道结的每个角落，能够有效的去除覆盖在侧壁的损伤和再次沉积层，同时，由于每个原子的能量非常低，团簇气体原子不会带来新的损伤，非常有利于磁性随机存储器磁学、电学性能的提升和良率的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性隧道结 气体团簇离子束 刻蚀 修剪 电介质 沉积层 侧壁 基底 团簇 沉积 损伤 磁性随机存储器 图形化定义 侧壁损伤 电学性能 化学抛光 气体原子 硬掩模膜 底电极 多层膜 图案化 硬掩模 溅射 良率 磨平 去除 图案 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法，其特征在于，采用气体团簇离子束对刻蚀之后的磁性隧道结进行修剪。
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