[发明专利]一种气体团簇离子束修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法在审
| 申请号： | 201611191829.X | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108232007A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性隧道结 气体团簇离子束 刻蚀 修剪 电介质 沉积层 侧壁 基底 团簇 沉积 损伤 磁性随机存储器 图形化定义 侧壁损伤 电学性能 化学抛光 气体原子 硬掩模膜 底电极 多层膜 图案化 硬掩模 溅射 良率 磨平 去除 图案 覆盖 | ||
1.一种修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法，其特征在于，采用气体团簇离子束对刻蚀之后的磁性隧道结进行修剪。
2.根据权利要求1所述的一种修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：提供底电极基底，并在所述基底上沉积磁性隧道结多层膜和硬掩模膜层；
步骤二：图形化定义磁性隧道结图案，刻蚀所述磁性隧道结；
步骤三：采用气体团簇离子束对被刻蚀后的所述磁性隧道结侧壁进行修剪以除去侧壁损伤和/或沉积层；
步骤四：沉积电介质，化学抛光磨平所述电介质直到所述硬掩模膜层的顶部。
3.根据权利要求2所述的一种修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法，其特征在于，所述气体团簇离子束所采用的气体为Ar、N2、O2、CO、CO2、NO、N2O、NO、NO2、NH3、H2、He、Ne、Xe、CF4、SF6、NF3、CHF3、CH2F2和CH4中的一种或者几种。
4.根据权利要求2所述的一种修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法，其特征在于，所述气体团簇离子束的加速电压范围是3KeV～60KeV。
5.根据权利要求2所述的一种修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法，其特征在于，所述气体团簇离子束的辐照剂量范围是5×1013ions/cm2～5×1018ions/cm2。
6.根据权利要求2所述的一种修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法，其特征在于，所述气体团簇离子束垂直入射或者采用小于45度的辐照角度入射。
7.根据权利要求6所述的一种修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法，其特征在于，所述辐照角度选用5度、10度或15度。
8.根据权利要求2所述的一种修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法，其特征在于，步骤三中，对所述侧壁修剪之后，立即沉积一层侧壁保护层。
9.根据权利要求8所述的一种修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法，其特征在于，所述侧壁保护层的材料选自SiN、SiCN或SiC。
10.根据权利要求8所述的一种修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法，其特征在于，所述侧壁保护层采用化学气相沉积或原子层沉积获得。
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