[发明专利]包含角部凹陷的半导体装置有效
| 申请号： | 201611187693.5 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108206161B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张杭;王伟利;严俊荣;莫金理;陈治强;陈昌恩;田鑫 | 申请（专利权）人： | 晟碟半导体（上海）有限公司;晟碟信息科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体裸芯，其包含角部凹陷，以避免制造过程中半导体裸芯破裂。在从晶片切片半导体裸芯之前，可以在晶片中、半导体裸芯的任意对之间的角部处形成凹陷。可以通过激光或光刻工艺在半导体裸芯之间的切口区域中形成凹陷。一经形成，角部凹陷防止半导体裸芯的破裂或损坏，否则，由于在背面研磨工艺期间相邻的半导体裸芯相对于彼此移动，该破裂或损坏可能发生在相邻的半导体裸芯的角部。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 凹陷 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，包含：第一主表面；第二主表面，所述第二主表面与所述第一主表面相反；多个半导体裸芯，所述多个半导体裸芯包含形成在所述晶片的所述第一主表面中、所述半导体裸芯的有源区域中的集成电路；切口区域，所述切口区域包含切口线的第一集和第二集，所述切口线围绕所述多个半导体裸芯的所述有源区域；以及多个角部凹陷，所述多个角部凹陷形成在所述晶片的所述第一主表面中、位于所述切口线的第一集和第二集的交点处。
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