[发明专利]频率可重构偶极子天线的SPIN二极管器件的制造工艺在审
申请号: | 201611184778.8 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN106816685A | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 尹晓雪;张亮 | 申请(专利权)人: | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q1/36;H01L21/329;H01L29/868 |
代理公司: | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供一种频率可重构偶极子天线的SPIN二极管器件的制造工艺,该SPIN二极管器件主要用于制造频率可重构偶极子天线,该SPIN二极管的制造方法包括如下步骤选择SOI衬底(101);刻蚀SOI衬底(101)形成隔离槽,填充隔离槽形成隔离区(301),刻蚀SOI衬底(101)形成P区深槽(501)和N区深槽(502);在P区深槽(501)及N区深槽(502)内采用离子注入的方式形成P+有源区(601)和N+有源区(602);在SOI衬底(101)上生成引线。本发明提供的天线具有易集成、可隐身、结构简单、频率可快速跳变的特点。 | ||
搜索关键词: | 频率 可重构 偶极子 天线 spin 二极管 器件 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种频率可重构偶极子天线的SPIN二极管器件的制造工艺,其特征在于,所述SPIN二极管器件用于制造所述频率可重构偶极子天线,所述频率可重构偶极子天线包括:Si基SOI半导体基片(1);固定在Si基SOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)、第二天线臂(3)和同轴馈线(4);所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)分别设置于所述同轴馈线(4)的两侧且包括多个SPIN二极管串,在天线处于工作状态时,所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)根据多个SPIN二极管串的导通与关断实现天线臂长度的调节;其中,所述SPIN二极管的制造方法包括如下步骤:选择SOI衬底(101);刻蚀所述SOI衬底(101)形成隔离槽,填充所述隔离槽形成隔离区(301);刻蚀所述SOI衬底(101)形成P区深槽(501)和N区深槽(502);在所述P区深槽(501)及所述N区深槽(502)内采用离子注入的方式形成P+有源区(601)和N+有源区(602);在所述SOI衬底(101)上生成引线。
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