[发明专利]频率可重构偶极子天线的SiGe基等离子pin二极管的制备方法

摘要

本发明提供一种频率可重构偶极子天线的SiGe基等离子pin二极管的制备方法，该SiGe基等离子pin二极管用于制造频率可重构偶极子天线，该SiGe基等离子pin二极管的制备方法包括选取SiGeOI衬底；在SiGeOI衬底上设置隔离区；刻蚀SiGeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在衬底的顶层SiGe内形成第二P型有源区、第二N型有源区、P型接触区和N型接触区；在P型接触区和N型接触区上光刻引线孔以形成引线，完成制备SiGe基等离子pin二极管。本发明提供的频率可重构偶极子天线易集成、可隐身、结构简单以及频率可快速跳变。

主权项

一种频率可重构偶极子天线的SiGe基等离子pin二极管的制备方法，其特征在于，所述SiGe基等离子pin二极管用于制造所述频率可重构偶极子天线，所述SiGe基等离子pin二极管的制备方法包括：选取SiGeOI衬底；在所述SiGeOI衬底上设置隔离区；刻蚀所述SiGeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在所述P型沟槽和所述N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述衬底的顶层SiGe内形成第二P型有源区、第二N型有源区、P型接触区和N型接触区；在所述P型接触区和N型接触区上光刻引线孔以形成引线，完成制备SiGe基等离子pin二极管；所述频率可重构偶极子天线包括：SiGe基SiGeOI半导体基片(1)；采用半导体工艺固定在所述SiGe基SiGeOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)、第二天线臂(3)、同轴馈线(4)、第一直流偏置线(5)、第二直流偏置线(6)、第三直流偏置线(7)、第四直流偏置线(8)、第五直流偏置线(9)、第六直流偏置线(10)、第七直流偏置线(11)、第八直流偏置线(12)；其中，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)分别设置于所述同轴馈线(4)的两侧，并且包括多个SiGe基等离子pin二极管串；所述第一直流偏置线(5)，所述第二直流偏置线(6)，所述第三直流偏置线(7)，所述第四直流偏置线(8)，所述第五直流偏置线(9)，所述第六直流偏置线(10)，所述第七直流偏置线(11)，所述第八直流偏置线(12)采用化学气相淀积的方法固定于所述SiGe基SiGeOI半导体基片(1)上，其材料为铜、铝或经过掺杂的多晶硅中的任意一种。