[发明专利]频率可重构偶极子天线的SiGe基等离子pin二极管的制备方法

权利要求书

1.一种频率可重构偶极子天线的SiGe基等离子pin二极管的制备方法，其特征在于，所述SiGe基等离子pin二极管用于制造所述频率可重构偶极子天线，所述SiGe基等离子pin二极管的制备方法包括：

选取SiGeOI衬底；

在所述SiGeOI衬底上设置隔离区；

刻蚀所述SiGeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；

在所述P型沟槽和所述N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；

填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述衬底的顶层SiGe内形成第二P型有源区、第二N型有源区、P型接触区和N型接触区；

在所述P型接触区和N型接触区上光刻引线孔以形成引线，完成制备SiGe基等离子pin二极管；

所述频率可重构偶极子天线包括：SiGe基SiGeOI半导体基片(1)；采用半导体工艺固定在所述SiGe基SiGeOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)、第二天线臂(3)、同轴馈线(4)、第一直流偏置线(5)、第二直流偏置线(6)、第三直流偏置线(7)、第四直流偏置线(8)、第五直流偏置线(9)、第六直流偏置线(10)、第七直流偏置线(11)、第八直流偏置线(12)；其中，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)分别设置于所述同轴馈线(4)的两侧，并且包括多个SiGe基等离子pin二极管串；所述第一直流偏置线(5)，所述第二直流偏置线(6)，所述第三直流偏置线(7)，所述第四直流偏置线(8)，所述第五直流偏置线(9)，所述第六直流偏置线(10)，所述第七直流偏置线(11)，所述第八直流偏置线(12)采用化学气相淀积的方法固定于所述SiGe基SiGeOI半导体基片(1)上，其材料为铜、铝或经过掺杂的多晶硅中的任意一种。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在SiGeOI衬底上设置隔离区，包括：

在所述SiGe表面形成第一保护层，其中所述第一保护层包括第一二氧化硅层和第一氮化硅层；

采用光刻工艺在所述第一保护层上形成第一隔离区图形；

采用干法刻蚀工艺在所述第一隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述衬底以形成隔离槽，且所述隔离槽的深度大于等于所述衬底的顶层SiGe的厚度。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述SiGe表面形成第一保护层，包括：

在所述SiGe表面生成二氧化硅以形成第一二氧化硅层；

在所述第一二氧化硅层表面生成氮化硅以形成第一氮化硅层。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，刻蚀所述SiGeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，包括：

在所述衬底表面生成第二保护层；

采用光刻工艺在所述第二保护层上形成第二隔离区图形；

采用干法刻蚀工艺在所述第二隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第二保护层及所述衬底以形成所述P型沟槽和所述N型沟槽。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底表面生成第二保护层，包括：

在所述SiGe表面生成二氧化硅以形成第二二氧化硅层；

在所述第二二氧化硅层表面生成氮化硅以形成第二氮化硅层。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述P型沟槽和所述N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区，包括：

氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以使所述P型沟槽和所述N型沟槽的内壁形成氧化层；

利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的氧化层以完成所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的平整化；

对所述P型沟槽和所述N型沟槽进行离子注入以形成所述第一P型有源区和所述第一N型有源区。