[发明专利]非易失性存储器件及其编程方法在审
| 申请号： | 201611180860.3 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106601292A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 杨诗洋;王颀;付祥;刘飞;李婷;郑世程;夏志良;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性存储器件及其编程方法，所述非易失性存储器件包括存储单元阵列、编程电压产生器、旁路电压产生器以及校验电压产生器，旁路电压产生器为存储单元阵列中的选中块(Block)中的字线提供旁路电压，且不同字线的旁路电压的电压幅度相等。非易失性存储器件编程方法包括向存储单元阵列中的字线施加相同的旁路电压；向选定的存储单元所在的字线施加编程电压；根据选定的存储单元所在的字线位置设定校验电压；向选定的存储单元所在的字线施加相应的校验电压，进行校验。本发明通过对不同字线施加相同的旁路电压，使旁路电压产生器无需由多组电压调整器及模拟开关组成，整体电源管理方案简化且面积减小。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，其特征在于，所述非易失性存储器件包括存储单元阵列、一个编程电压产生器、一个旁路电压产生器以及一个校验电压产生器，其中：所述存储单元阵列包括若干字线和若干存储单元，每个字线连接多个存储单元，所述字线层叠排列；所述编程电压产生器连接所述存储单元阵列，为所述存储单元阵列中的字线提供编程电压；所述旁路电压产生器连接所述存储单元阵列，为所述存储单元阵列中的选中块中的的字线提供旁路电压，不同字线的旁路电压的电压幅度相等；所述校验电压产生器连接所述存储单元阵列，为所述存储单元阵列中的字线提供校验电压。
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