[发明专利]一种III族氮化物半导体雪崩光电二极管探测器

摘要

本发明公开了一种III族氮化物半导体雪崩光电二极管探测器。包括衬底及生长在衬底之上的外延层。外延层自下而上的顺序依次为非故意掺杂氮化物缓冲层，非故意掺杂氮化物过渡层，重掺杂n型氮化物欧姆电极接触层，非均匀掺杂p型氮化物有源层，p型掺杂氮化物层和重掺杂p型氮化物欧姆电极接触层。本发明同时公开器件制备方法，包括：利用多次光刻及干法刻蚀制作器件边缘的台阶，在所述的p型欧姆接触层及n型欧姆接触层分别蒸镀p型及n型金属电极，经过合金与半导体形成欧姆接触。本器件结构增强了雪崩光电二极管有源区的电场强度，通过有效提高有源区场强、降低器件边缘漏电流，实现氮化物雪崩光电探测器的低暗电流、高增益、高探测响应度性能。

主权项

1.一种III族氮化物半导体雪崩光电二极管探测器，其特征在于：所述III族氮化物半导体包括GaN、InGaN、AlGaN、AlInN和AlInGaN；所述III族氮化物半导体雪崩光电二极管探测器包括衬底(101)，利用外延生长法，如分子束外延或金属有机化学气相沉积外延法，依次生长在衬底(101)上的缓冲层(102)，过渡层(103)，重掺杂n型氮化物欧姆电极接触层(104)，非均匀掺杂p型氮化物有源层(105)，p型掺杂氮化物层(106)，重掺杂p型氮化物欧姆接触层(107)，有源层(105)边缘的电场限制台阶(108)，p型掺杂层106边缘的电场限制台阶(109)，用于制作在n型层上的n型欧姆接触电极(110)，用于制作于p型层上的p型欧姆接触电极(111)，其中，所述有源层(105)中p型非均匀掺杂为掺杂从生长开始由低浓度逐渐升至高浓度，呈线性变化或高斯函数变化。