[发明专利]一种炭材料表面碳化硅纳米晶须及其制备方法有效
| 申请号： | 201611138624.5 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106784667B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李轩科;朱辉;董志军;袁观明 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/583;H01M4/58;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种炭材料表面碳化硅纳米晶须及其制备方法。其技术方案是：按硅粉∶二氧化硅粉的摩尔比为1∶（0.3~4），将硅粉和二氧化硅粉混匀，得到硅源；将沥青基炭纤维或炭纤维毡置于高温石墨化炉，于氩气气氛中在1000~2800℃条件下热处理0.5~1h，得到碳源。按硅源∶碳源的摩尔比为1∶（0.25~4），将硅源和碳源依次置于石墨坩埚中，然后将石墨坩埚放入高温炭化炉中，抽真空至5~20Pa，再通入氩气至常压；在氩气气氛条件下，以10~20℃/min的速率将高温炭化炉升温至1200~1500℃，保温0.5~3h，自然冷却至室温，制得炭材料表面碳化硅纳米晶须。本发明工艺简单、反应条件温和、对环境友好，所制制品光学性能和电化学性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 表面 碳化硅 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种炭材料表面碳化硅纳米晶须的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、按硅粉∶二氧化硅粉的摩尔比为1∶（0.25~4），将硅粉和二氧化硅粉混合均匀，得到硅源；步骤二、将沥青基炭纤维或沥青基炭纤维毡置于高温石墨化炉中，通入氩气进行高温炭化处理，高温炭化处理的温度为1000~2800℃，高温炭化处理的时间为0.5~1h，得到碳源；步骤三、按所述硅源∶所述碳源的摩尔比为1∶（0.25~4），将所述硅源和所述碳源依次置于石墨坩埚中，然后将所述石墨坩埚放入高温炭化炉中，抽真空至5~20Pa，再通入氩气至常压；步骤四、在氩气气氛条件下，以10~20℃/min的速率将所述高温炭化炉升温至1200~1500℃，保温0.5~3h，自然冷却至室温，制得炭材料表面碳化硅纳米晶须。
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