[发明专利]一种炭材料表面碳化硅纳米晶须及其制备方法

权利要求书

1.一种炭材料表面碳化硅纳米晶须的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一、按硅粉∶二氧化硅粉的摩尔比为1∶（0.25~4），将硅粉和二氧化硅粉混合均匀，得到硅源；

步骤二、将沥青基炭纤维或沥青基炭纤维毡置于高温石墨化炉中，通入氩气进行高温炭化处理，高温炭化处理的温度为1000~2800℃，高温炭化处理的时间为0.5~1h，得到碳源；

步骤三、按所述硅源∶所述碳源的摩尔比为1∶（0.25~4），将所述硅源和所述碳源依次置于石墨坩埚中，然后将所述石墨坩埚放入高温炭化炉中，抽真空至5~20Pa，再通入氩气至常压；

步骤四、在氩气气氛条件下，以10~20℃/min的速率将所述高温炭化炉升温至1200~1500℃，保温0.5~3h，自然冷却至室温，制得炭材料表面碳化硅纳米晶须。

2.根据权利要求1所述炭材料表面碳化硅纳米晶须的制备方法，其特征在于所述硅粉的粒度为20~80μm。

3.根据权利要求1所述炭材料表面碳化硅纳米晶须的制备方法，其特征在于所述二氧化硅粉末的粒度为20~80μm。

4.一种炭材料表面碳化硅纳米晶须，其特征在于所述炭材料表面碳化硅纳米晶须是根据权利要求1~3项中任一项所述炭材料表面碳化硅纳米晶须的制备方法所制备的炭材料表面碳化硅纳米晶须。