[发明专利]钒氧化物薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201611120974.9 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106521416A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 郝青 | 申请（专利权）人： | 陕西玉航电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 西安亿诺专利代理有限公司61220 | 代理人： | 贾苗苗 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明所述一种钒氧化物薄膜制备方法，其具体制备步骤如下（1）取纯度为99．8％的钒金属靶(直径70 mm)，基底是显微载玻片，靶和基底间距约50 mm进行沉积；（2）将真李室的压强抽低至千分之一Pa；（3）溅射气体氩气和氧气按11的比率导入反应罐，并通过两个质母流动控制器来控制流量（4）再引入溅射气体氧气直到总压强达1Pa；（5）用挡板覆盖基底以除去暴露于空气中所形成的表面氧化层，然后移走挡板，膜的沉积过程开始，薄膜沉积中直流功率为160 W，沉积时问大概40 min，温度从室温变化至400℃。本发明所述工艺制备的薄膜，具有低的透过值，双振荡的经典模型与实验测量透过结果符合得很好。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钒氧化物薄膜制备方法，其特征在于具体制备步骤如下：（1）取纯度为99．8％的钒金属靶基底是显微载玻片，靶和基底间距约50 mm进行沉积；（2）将真李室的压强抽低至千分之一Pa；（3）溅射气体氩气和氧气按1:1的比率导入真李室反应罐，并通过两个质母流动控制器来控制流量；（4）再引入溅射气体氧气直到总压强达1Pa；（5）用挡板覆盖基底以除去暴露于空气中所形成的表面氧化层，然后移走挡板，膜的沉积过程开始，薄膜沉积中直流功率为160 W，沉积时间20‑60min，温度从室温变化至300‑500℃。
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