[发明专利]磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备

摘要

本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体，在所述腔室主体的外侧设置有与电源相连的偏置电磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件；偏置电磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。

主权项

1.一种磁性薄膜沉积腔室，包括腔室主体，在所述腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件，其特征在于，在所述腔室主体的外侧设置有用于与电源相连的偏置电磁场装置；

所述偏置电磁场装置用于在所述基座上方形成水平磁场，所述水平磁场用于在所述待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。

2.根据权利要求1所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述偏置电磁场装置包括第一电磁装置和第二电磁装置；

所述第一电磁装置和所述第二电磁装置沿所述基座的径向相对设置；

所述第一电磁装置产生的磁场方向自所述腔室主体的外侧向所述腔室主体的内侧，所述第二电磁装置产生的磁场方向自所述腔室主体的内侧朝向所述腔室主体的外侧。

3.根据权利要求2所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述第一电磁装置产生的磁场方向自所述腔室主体的外侧朝向所述腔室主体的内侧倾斜向上，所述第二电磁装置产生的磁场方向自所述腔室主体的内侧朝向所述腔室主体的外侧倾斜向下。

4.根据权利要求2所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述第一电磁装置产生的磁场方向自所述腔室主体的外侧朝向所述腔室主体的内侧倾斜向下，所述第二电磁装置产生的磁场方向自所述腔室主体的内侧朝向所述腔室主体的外侧倾斜向上。

5.根据权利要求2所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述第一电磁装置和所述第二电磁装置产生的磁场方向平行于所述基座的表面。

6.根据权利要求2所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述第一电磁装置和所述第二电磁装置在腔室横向截面上的长度均大于所述待加工工件的直径。

7.根据权利要求2所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述第一电磁装置包括至少一个第一螺线管，所述第二电磁装置包括至少一个第二螺线管；

在所述第一电磁装置包括多个第一螺线管时，多个所述第一螺线管沿所述腔室本体的周向间隔设置；

在所述第二电磁装置包括多个第二螺线管时，多个所述第二螺线管沿所述腔室本体的周向间隔设置。

8.根据权利要求7所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述第一螺线管和所述第二螺线管均为矩形螺线管。

9.根据权利要求7所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述第一电磁装置还包括与所述第一螺线管一一对应的支撑件；

所述第二电磁装置还包括与所述第二螺线管一一对应的支撑件；

所述支撑件采用导磁材料制成；

所述第一螺线管和所述第二螺线管缠绕在各自对应的所述支撑件上。

10.根据权利要求1所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述偏置电磁场装置包括一螺线管，所述螺线管的沿垂直其缠绕方向的方向上的两端沿所述基座的径向相对设置。

11.根据权利要求10所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述偏置电磁场装置还包括采用导磁材料制成的支撑件；

所述螺线管缠绕在所述支撑件上；

所述支撑件的两端沿所述基座的径向相对设置。

12.根据权利要求11所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述支撑件的两端在腔室横向截面上的长度均大于所述待加工工件的直径。

13.根据权利要求10所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述螺线管为矩形螺线管。

14.根据权利要求9或11所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述支撑件为铁芯。

15.根据权利要求14所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述支撑件的一端面固定在所述腔室主体的侧壁上；

所述支撑件的该端面的形状与所述腔室主体的侧壁的形状相同。

16.一种薄膜沉积设备，包括用于沉积磁性膜层的沉积腔室，其特征在于，所述沉积腔室采用权利要求1‑15任意一项所述的磁性薄膜沉积腔室。