[发明专利]鳍式场效应晶体管器件在审
申请号: | 201611099473.7 | 申请日: | 2016-12-05 |
公开(公告)号: | CN106960845A | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L21/8234 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 提供鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种鳍式场效应晶体管器件包括具有至少一个鳍片的衬底、第一栅堆叠以及第二栅堆叠、第一应变层以及第二应变层、第一介电层以及第二介电层,以及第一连接件以及第二连接件。第一栅堆叠以及第二栅堆叠横跨所述鳍片。第一应变层以及第二应变层分别在第一栅堆叠以及第二栅堆叠侧边。第一介电层以及第二介电层分别在第一应变层以及第二应变层上方,且第一介电层的顶表面低于第二介电层的顶表面。第一连接件通过第一介电层且电连接到第一应变层。第二连接件通过第二介电层且电连接到第二应变层。此外,第二连接件的宽度大于第一连接件的宽度。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 器件 | ||
【主权项】:
一种鳍式场效应晶体管器件,其特征在于包括:衬底,具有至少一个鳍片;第一栅堆叠以及第二栅堆叠,横跨所述至少一个鳍片;第一应变层,在所述第一栅堆叠侧边;第二应变层,在所述第二栅堆叠侧边;第一介电层,在所述第一应变层上方;第二介电层,在所述第二应变层上方,其中所述第一介电层的顶表面低于所述第二介电层的顶表面;第一连接件,通过所述第一介电层且电连接到所述第一应变层;以及第二连接件,通过所述第二介电层且电连接到所述第二应变层,其中所述第二连接件的宽度大于所述第一连接件的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的