[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201611096470.8 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107301951B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 吴启明;萧茹雄;陈弘斌;薛森鸿;郑志成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种制造FinFET的方法，包括至少以下步骤。通过从半导体衬底的(110)晶格面法向向量倾斜8.05±2°来确定551方向。沿着垂直于551方向的晶格面图案化半导体衬底，从而在半导体衬底中形成多个沟槽和形成至少一个具有设置在(551)晶格面上的侧壁的半导体鳍。绝缘体位于沟槽中。在半导体鳍的部分上方和绝缘体的部分上方形成栅极堆叠件。在由栅极堆叠件暴露的半导体鳍上方形成应变材料部分。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：通过从半导体衬底的(110)晶格面的法向向量倾斜8.05±2度来确定<551>方向；沿着垂直于所述<551>方向的晶格面图案化所述半导体衬底以在所述半导体衬底中形成多个沟槽以及形成具有设置在(551)晶格面上的侧壁的至少一个半导体鳍；在所述沟槽中形成多个绝缘体；在所述半导体鳍的部分上方和所述绝缘体的部分上方形成栅极堆叠件；以及在由所述栅极堆叠件暴露的所述半导体鳍上方形成应变材料部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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