[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 201611090724.5 申请日: 2016-12-01
公开(公告)号: CN108133932B 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 郭志轩;王凤国;武新国;李峰;刘弘;王子峰;李元博;马波 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L21/77
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒;王小会
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板。该阵列基板,包括:衬底基板;光遮挡层,设置在衬底基板上;压力电极,与光遮挡层同层设置;缓冲层,设置在光遮挡层和压力电极上;薄膜晶体管,包括依次设置在缓冲层上的有源层、栅极绝缘层和栅极;压力电极引线,与栅极同层设置;有源层包括沟道区域,光遮挡层被配置来遮挡入射到有源层的沟道区域的光线,压力电极引线与压力电极电连接。该阵列基板中,压力电极引线与栅极同层设置,从而,可以解决刻蚀过程中损伤衬底基板、损失压力电极、刻蚀时间不好把握、SD层与LS层的过孔以及压力电极引线与压力电极的过孔过厚,易造成断路和接触不良的问题。
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示 面板
【主权项】:
一种阵列基板,包括:衬底基板;光遮挡层,设置在所述衬底基板上;压力电极,与所述光遮挡层同层设置;缓冲层,设置在所述光遮挡层和所述压力电极上;薄膜晶体管,包括依次设置在所述缓冲层上的有源层、栅极绝缘层和栅极;压力电极引线,与所述栅极同层设置;其中,所述有源层包括沟道区域,所述光遮挡层被配置来遮挡入射到所述有源层的所述沟道区域的光线,所述压力电极引线与所述压力电极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611090724.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top