[发明专利]一种集成了TFET的FINFET器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种集成了TFET的FINFET器件及其制备方法，在鳍的两个端部区域分别形成N型漏区和由顶部P型掺杂区和底部N型掺杂区构成的源区，从而由源区的底部N型掺杂区、漏区、沟道区、位于鳍结构的侧壁的高K介质层和位于鳍结构的侧壁的栅极共同构成MOS FINFET器件；以及由源区的顶部P型掺杂区、漏区、沟道区、位于鳍结构的顶部的高K介质层和位于鳍结构的顶部的栅极共同构成TFET器件，本发明实现了TFET与FINFET器件的集成，节约了成本。

主权项

1.一种集成了TFET的FINFET器件，其特征在于，包括：/n位于一半导体衬底上的鳍结构；/n位于鳍结构两个端部区域的源区和漏区；整个漏区的掺杂类型为N型掺杂；源区包括底部N型掺杂区和顶部P型掺杂区；其中，向鳍结构两个端部区域进行N型掺杂离子注入，从而形成N型掺杂的漏区和N型掺杂的源区，再通过掩膜对N型掺杂的源区进行P型掺杂，得到顶部P型掺杂区，所述顶部P型掺杂区之下剩余的所述N型掺杂的源区构成底部N型掺杂区；/n在源区和漏区之间的鳍结构的顶部和侧壁依次形成的氧化层和高K介质层；/n位于高K介质层表面的栅极；/n在高K介质层下方且在源区和漏区之间的鳍结构中形成的沟道区；其中，/n源区的底部N型掺杂区、漏区、沟道区、位于鳍结构的侧壁的高K介质层和位于鳍结构的侧壁的栅极共同构成MOS FINFET器件；/n源区的顶部P型掺杂区、漏区、沟道区、位于鳍结构的顶部的高K介质层和位于鳍结构的顶部的栅极共同构成TFET器件。/n