[发明专利]一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法在审
| 申请号： | 201611076208.7 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106783617A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法，其步骤如下在硅基半导体上形成50纳米宽的槽状结构；在硅槽中制作SiNx侧墙结构；在硅槽中制作SiO2侧墙结构；在硅槽中采用超高真空化学汽相沉积的方法生长硅锗缓冲层；在硅锗缓冲层上生长高质量锗沟道层；在锗沟道层上制作栅介质与栅金属结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基锗 沟道 mos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法：其步骤如下：(1)准备一硅基半导体作为基片(101)；(2)在硅基半导体基片上以光刻胶为掩膜制作以100纳米宽的槽状结构；(3)在该硅槽中制作20‑25纳米厚度的SiNx侧墙(102)；(4)在该硅槽的SiNx侧墙上制作20‑25纳米厚度的SiO2侧墙(103)；(5)在该硅槽中采用超高真空化学汽相沉积的方法生长100‑150纳米厚度的硅锗缓冲层(104)；(6)在硅锗缓冲层上生长高质量的50纳米厚度的锗沟道层(105)；(7)在锗沟道层上制作2纳米氧化铝栅介质层(106)；(8)在栅介质层上制作300纳米铝栅金属层(107)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院，未经东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611076208.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构以及制备方法
- 下一篇：一种硅纳米线的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
