[发明专利]原子层沉积设备在审
| 申请号： | 201611043342.7 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106978599A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 周友华;庄国胜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种原子层沉积设备，包括处理腔室、至少一个分隔和注入器。所述至少一个分隔安置于所述处理腔室中用于将所述处理腔室划分成多个区段。所述注入器包含安置于所述处理腔室中且被配置以将反应气流分别提供到所述多个区段中的每一个的多个喷嘴。本发明实施例还提供一种半导体工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种原子层沉积设备，其特征在于，包括：处理腔室；至少一个分隔，其安置于所述处理腔室中用于将所述处理腔室划分成多个区段；以及注入器，其包括安置于所述处理腔室中且被配置以将反应气流分别提供到所述多个区段中的每一个的多个喷嘴。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
