[发明专利]一种薄膜二极管及其串联结构有效
| 申请号： | 201611032372.8 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN106783969B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 韦韬 | 申请（专利权）人： | 嘉兴爱禾电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/868;H01L25/03 |
| 代理公司： | 11302 北京华沛德权律师事务所 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 314006 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜半导体二极管技术领域，公开了一种薄膜二极管，包括：薄膜二极管本体以及位于所述薄膜二极管本体低掺杂漂移区上的场板；所述场板与所述薄膜二极管本体的阳极相连；其中，在正向偏压状态下，施加于所述阳极的正电源偏置所述场板；在反向偏压状态，施加于阴极的负电压偏执所述场板。本发明提供一种具备良好抑制正向偏压电阻和反向漏电流性能，且结构简单的薄膜二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 二极管 及其 串联 结构 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜二极管，其特征在于，包括：薄膜二极管本体以及位于所述薄膜二极管本体低掺杂漂移区上的场板；/n所述场板包括：位于所述薄膜二极管本体低掺杂漂移区上下两侧的第一场板和第二场板；/n所述的第一场板和所述第二场板分别与所述薄膜二极管本体的阳极相连；/n其中，在正向偏压状态下，施加于所述阳极的正电源偏置所述第一场板和所述第二场板；在反向偏压状态，施加于阴极的负电压偏执所述第一场板和所述第二场板。/n
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