[发明专利]用于启用/停用SRAM中的突发模式读取的地址检测器有效

专利信息
申请号: 201611025525.6 申请日: 2016-11-15
公开(公告)号: CN107025930B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 普雷姆库马尔·塞特阿拉曼;维诺德·梅内塞斯 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: G11C11/418 分类号: G11C11/418;G11C11/419
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种用于启用/停用SRAM中的突发模式读取的地址检测器。静态随机存取存储器SRAM读取控制器包含第一触发器(402)、第二触发器(404)、及比较器(420)。所述第一触发器(402)经配置以存储指示对布置为行及列的存储单元阵列的第一存储单元的存取请求的第一行地址的第一行地址输入及指示对所述存储单元阵列的第二存储单元的存取请求的第二行地址的第二行地址输入。所述第二触发器(404)经配置以存储所述第一及第二行地址输入。所述比较器(420)经配置以比较所述第一及第二行地址输入并基于所述比较输出控制信号(222)。
搜索关键词: 用于 启用 停用 sram 中的 突发 模式 读取 地址 检测器
【主权项】:
一种静态随机存取存储器SRAM,其包括:存储单元阵列,其被布置为行及列,且包括对应于所述行的字线及对应于所述列的位线;及读取控制器,其用于管理从所述存储单元的读取,所述读取控制器包括预充电电路及地址检测器,所述地址检测器包含:第一触发器,其包括第一主锁存器及第一从锁存器,所述第一触发器经配置以接收指示对所述存储单元阵列的第一存储单元的存取请求的第一行地址的第一行地址输入及指示对所述存储单元阵列的第二存储单元的存取请求的第二行地址的第二行地址输入,其中响应于接收所述第二行地址输入,所述第一主锁存器经配置以存储所述第二行地址输入的第一位,且所述第一从锁存器经配置以存储所述第一行地址输入的第一位;比较器,其经配置以比较所述第一行地址输入与所述第二行地址输入并基于所述比较输出控制信号;其中所述预充电电路经配置以接收所述控制信号,并基于所述第一行地址输入不同于所述第二行地址输入,对所述位线预充电。
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