[发明专利]闪存的参考电流产生电路和方法有效
| 申请号： | 201611025167.9 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106601291B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24;G11C16/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存的参考电流产生电路，闪存至少包括两个由字线切换电路隔开的第一和二存储阵列；参考电流产生电路由参考单元形成的行组成，第一和二参考单元行分别和第一和二存储阵列的各行平行且列数相同；第一和第二参考单元行的参考字线之间断开连接；编程后的第一参考单元行使第一存储阵列的各位线形成第一参考电流，编程后的第二参考单元行使第二存储阵列的各位线形成第二参考电流；第一参考电流作为对第二存储阵列进行读取时的参考电流，第二参考电流作为对第一存储阵列进行读取时的参考电流。本发明还公开了一种闪存的参考电流产生方法。本发明能提高灵敏放大器的速度和精度，提高整个闪存的良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 参考 电流 产生 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存的参考电流产生电路，其特征在于：闪存至少包括两个行数相同的且都由存储单元排列而成的第一存储阵列和第二存储阵列；参考电流产生电路包括第一参考单元行和第二参考单元行，所述第一参考单元行和所述第二参考单元行都由参考单元排列而成，所述第一参考单元行和所述第一存储阵列的各行平行且列数相同，所述第二参考单元行和所述第二存储阵列的各行平行且列数相同；字线切换电路设置在所述第一存储阵列和所述第二存储阵列之间并延伸到所述第一参考单元行和所述第二参考单元行之间，所述闪存在读操作模式时所述字线切换电路使所述第一存储阵列的各行字线和所述第二存储阵列的各行字线断开连接以及使所述第一参考单元行的第一参考字线和所述第二参考单元行的第二参考字线断开连接；编程后的所述第一参考单元行使所述第一存储阵列的各位线形成第一参考电流，编程后的所述第二参考单元行使所述第二存储阵列的各位线形成第二参考电流；所述第一参考电流作为对所述第二存储阵列进行读取时的参考电流，所述第二参考电流作为对所述第一存储阵列进行读取时的参考电流。
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