[发明专利]一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器在审
| 申请号： | 201611014075.0 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106329310A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 徐玉兰;林琦;林中晞;王凌华;苏辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/065;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535 | 代理人： | 刘元霞,张祖萍 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器，该锁模半导体激光器采用条形波导结构、脊波导结构或楔形波导结构，在所述波导结构上形成增益区、电隔离区和饱和吸收区，所述电隔离区位于增益区和饱和吸收区之间，所述吸收区的一部分、所述电隔离区以及所述增益区的一部分构成多模干涉区，或者所述增益区的一部分构成多模干涉区。本发明提出的锁模半导体激光器能得到高功率的超短脉冲，且制作简单，利于光学集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 干涉 结构 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器，其特征在于，该锁模半导体激光器采用条形波导结构、脊波导结构或楔形波导结构，在所述波导结构上形成增益区、电隔离区和饱和吸收区，所述电隔离区位于增益区和饱和吸收区之间，其中，所述吸收区的一部分、所述电隔离区以及所述增益区的一部分构成多模干涉结构，或者所述增益区的一部分构成多模干涉结构。
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