[发明专利]存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法

摘要

本发明提供一种存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法，其中，存储器结构包括：第一下拉晶体管，所述第一下拉晶体管具有第一沟道宽度；第二下拉晶体管，所述第二下拉晶体管具有第三沟道宽度；第一传输晶体管，所述第一传输晶体管具有第二沟道宽度；第二传输晶体管，所述第二传输晶体管具有第四沟道宽度；所述第四沟道宽度小于所述第三沟道宽度；或者所述第二沟道宽度小于所述第一沟道宽度；或者所述第二沟道宽度小于所述第一沟道宽度，且所述第四沟道宽度小于所述第三沟道宽度。所述存储器结构能够增加所述存储器的静态噪声容量。

主权项

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括：第一下拉区、第二下拉区、第一传输区和第二传输区；位于衬底第一下拉区的第一下拉晶体管，所述第一下拉晶体管具有第一沟道宽度，所述第一下拉晶体管包括：位于所述衬底上的第一下拉栅极结构，分别位于所述第一下拉栅极结构两侧衬底中的第一下拉源区和第一下拉漏区，所述第一下拉源区用于施加第一电位；位于衬底第二下拉区的第二下拉晶体管，所述第二下拉晶体管具有第三沟道宽度，所述第二下拉晶体管包括：位于所述衬底上的第二下拉栅极结构，分别位于所述第二下拉栅极结构两侧衬底中的第二下拉源区和第二下拉漏区，所述第二下拉栅极结构与所述第一下拉漏区电连接，所述第二下拉漏区与所述第一下拉栅极结构电连接，所述第二下拉源区用于施加所述第一电位；位于第一传输区衬底上的第一传输晶体管，所述第一传输晶体管具有第二沟道宽度，所述第一传输晶体管包括：位于所述衬底上的第一传输栅极结构，位于所述第一传输栅极结构两侧衬底中的第一传输源区和第一传输漏区，所述第一传输源区与所述第一下拉漏区电连接；位于第二传输区衬底上的第二传输晶体管，所述第二传输晶体管具有第四沟道宽度，所述第二传输晶体管包括：位于所述衬底上的第二传输栅极结构；位于所述第二传输栅极结构两侧衬底中的第二传输源区和第二传输漏区，所述第二传输源区与所述第二下拉漏区电连接；所述第四沟道宽度小于所述第三沟道宽度；或者所述第二沟道宽度小于所述第一沟道宽度；或者所述第二沟道宽度小于所述第一沟道宽度，且所述第四沟道宽度小于所述第三沟道宽度；连接所述第一传输栅极结构和所述第二传输栅极结构的字线；连接所述第一传输漏区的第一位线；连接所述第二传输漏区的第二位线。