[发明专利]提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法及结构有效
| 申请号： | 201610985910.9 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106409854B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡彬;陈昊瑜;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法及结构。本发明的提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法包括：第一步骤：在生长接触孔刻蚀阻挡层前用一层定义红光感光区为打开的掩膜板，对金属硅化物的阻挡层二氧化硅层进行刻蚀，完全刻蚀去除红光感光区的金属硅化物的阻挡层，使红光感光区的硅衬底裸露；第二步骤：生长接触孔刻蚀阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 前照式 cmos 图像传感器 红光 量子 效率 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法，其特征在于包括：/n第一步骤：在生长接触孔刻蚀阻挡层前用一层定义红光感光区为打开的掩膜板，对金属硅化物的阻挡层二氧化硅层进行刻蚀，完全刻蚀去除红光感光区的金属硅化物的阻挡层，使红光感光区的硅衬底裸露；/n在第一步骤，绿光感光区和蓝光感光区在所述掩膜板中定义为未打开，即对金属硅化物的阻挡层二氧化硅层进行刻蚀时，不会刻蚀去除绿光感光区和蓝光感光区的金属硅化物的阻挡层，不会暴露绿光感光区和蓝光感光区的硅衬底；/n第二步骤：生长接触孔刻蚀阻挡层；/n在第二步骤，调整薄膜生长工艺的参数使红光感光区的所述接触孔刻蚀阻挡层的折射率介于2.24±3％之间；/n在第二步骤，使得红光感光区的接触孔刻蚀阻挡层的膜厚介于
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
