[发明专利]一种三栅极结构的形成方法有效
| 申请号： | 201610985906.2 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106298492B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘英明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三栅极结构的形成方法，包括：第一步骤：在衬底上依次形成介质层、第一功函数金属层和硬掩膜层；第二步骤：形成硬掩膜层的图案；第三步骤：采用形成图案的硬掩膜层刻蚀第一功函数金属层，以形成第一功函数金属凸块；第四步骤：沉积第二功函数金属层，其中第二功函数金属层与第一功函数金属层为不同材料；第五步骤：对第二功函数金属层进行化学机械研磨，直到露出第一功函数金属凸块；第六步骤：刻蚀第二功函数金属层和介质层，从而形成在第一功函数金属凸块侧壁包围第二功函数金属侧壁的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三栅极结构的形成方法，其特征在于包括：/n第一步骤：在衬底上依次形成介质层、第一功函数金属层和硬掩膜层；/n第二步骤：形成硬掩膜层的图案；/n第三步骤：采用形成图案的硬掩膜层刻蚀第一功函数金属层，以形成第一功函数金属凸块；/n第四步骤：沉积第二功函数金属层，其中第二功函数金属层与第一功函数金属层为不同材料；/n第五步骤：对第二功函数金属层进行化学机械研磨，直到露出第一功函数金属凸块；/n第六步骤：刻蚀第二功函数金属层和介质层，从而形成在第一功函数金属凸块侧壁包围第二功函数金属侧壁的结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
