[发明专利]一种p型ZnGeSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610914005.4 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106711196B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;岳士录;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/02;H01L29/786;C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 33231 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张宇娟;郑婷<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型ZnGeSnO非晶氧化物半导体薄膜，其中，Ge与Sn共同作为材料的基体元素，二者均为+4价，与O结合形成材料的基体；Zn为+2价，掺入基体形成p型导电；同时，Ge作为空穴浓度的控制元素；Sn具有球形电子轨道，在非晶状态下电子云高度重合，起到空穴传输通道的作用。且p型ZnGeSnO非晶薄膜的化学式为ZnGexSnyO1+2x+2y，其中0.5≦x≦8，0.5≦y≦1.5。本发明还公开了该p型ZnGeSnO非晶薄膜的制备方法及应用。制得的p型ZnGeSnO非晶氧化物半导体薄膜的空穴浓度为1012~1015cm‑3，可见光透过率≧80%。将其作为沟道层应用于薄膜晶体管，所得的薄膜晶体管的开关电流比103~105，场效应迁移率3~9cm2/Vs。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶氧化物半导体 空穴 薄膜晶体管 非晶薄膜 薄膜 电子云 场效应迁移率 可见光透过率 开关电流比 电子轨道 基体元素 空穴传输 控制元素 形成材料 沟道层 重合 掺入 非晶 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种p型ZnGeSnO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：Ge与Sn共同作为材料的基体元素，二者均为+4价，与O结合形成材料的基体；Zn为+2价，掺入基体形成p型导电；同时，Ge作为空穴浓度的控制元素；Sn具有球形电子轨道，在非晶状态下电子云高度重合，起到空穴传输通道的作用；/n所述p型ZnGeSnO非晶氧化物半导体薄膜的化学式为ZnGexSnyO1+2x+2y，其中0.5≦x≦8，0.5≦y≦1.5。/n
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