[发明专利]晶圆键合方法及其键合装置有效
| 申请号： | 201610908069.3 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107958839B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆键合方法及其键合装置，所述键合方法包括：提供氮化镓晶圆与碳化硅晶圆；在所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅；将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火；所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上的无定型碳化硅通过微波退火转换为结晶碳化硅，从而使氮化镓晶圆与碳化硅晶圆完成键合，提高了键合的效率，从而提高了氮化镓基半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：提供氮化镓晶圆与碳化硅晶圆；在所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅；将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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