[发明专利]存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610907219.9 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106783857B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 藤原英弘;詹伟闵;林志宇;陈炎辉;廖宏仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L23/528;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器件，包括：存储器位单元、第一字线、成对的金属岛状件和成对的连接金属线。第一字线设置在第一金属层中并且电连接至存储器位单元。成对的金属岛状件在第一金属层中设置在字线的相对两侧处并且电连接至电源。成对的连接金属线设置在第二金属层中并且配置成将金属岛状件分别电连接至存储器位单元。本发明还提供了用于制造存储器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：存储器位单元；字线，设置在第一金属层中并且电连接至所述存储器位单元；成对的金属岛状件，在所述第一金属层中设置在所述字线的相对侧处并且电连接至电源；以及成对的连接金属线，设置在第二金属层中并且配置成将所述金属岛状件分别电连接至所述存储器位单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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