[发明专利]双端口SRAM单元及具有其的存储器件有效
| 申请号： | 201610905436.4 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN106601288B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM单元，包括相互交叉耦合的第一反相器和第二反相器，以构建互补的第一数据存储节点和第二数据存储节点。第一访问晶体管包括耦合到第一数据存储节点的第一源极/漏极区、耦合到第一位线的第一漏极/源极区和耦合到第一字线的第一栅极区。第二访问晶体管包括耦合到第二互补数据存储节点的第二源极/漏极区、耦合到第二位线的第二漏极/源极区以及耦合到第一字线的第二栅极区。第一伪晶体管具有耦合到第一访问晶体管的第一源极/漏极区的第一伪源极/漏极区。第二伪晶体管具有耦合到第二访问晶体管的第二源极/漏极区的第二伪源极/漏极区。本发明提供了双端口SRAM单元及具有其的存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 端口 sram 单元 具有 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器(SRAM)器件，包括多个静态随机存取存储器单元，所述静态随机存取存储器单元包括：/n第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器相互交叉耦合，以构建用于所述静态随机存取存储器单元的互补的第一数据存储节点和第二数据存储节点；/n第一访问晶体管包括：耦合到所述第一数据存储节点的第一源极/漏极区、耦合到第一位线的第一漏极/源极区和耦合到第一字线的第一栅极区；/n第二访问晶体管包括：耦合到所述第二数据存储节点的第二源极/漏极区、耦合到第二位线的第二漏极/源极区以及耦合到所述第一字线的第二栅极区；/n第一伪晶体管，具有耦合到所述第一访问晶体管的所述第一源极/漏极区的第一伪源极/漏极区；以及/n第二伪晶体管，具有耦合到所述第二访问晶体管的所述第二源极/漏极区的第二伪源极/漏极区；/n其中，所述第一伪晶体管和所述第二伪晶体管中的至少一个具有耦合到所述第一字线的栅极或者具有浮置的栅极。/n
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