[发明专利]原子层沉积方法及其结构有效
| 申请号： | 201610903179.0 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107017157B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李欣怡;蔡承晏;李达元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提供(例如，功函层的)预沉积处理以完成功函调整的方法和结构。在各个实施例中，在衬底上方形成栅极介电层，以及在栅极介电层上方沉积功函金属层。功函金属层具有第一厚度。然后，可以实施功函金属层的预处理工艺，其中，预处理工艺从功函金属层的顶面去除被氧化层以形成处理的功函金属层。处理的功函金属层具有小于第一厚度的第二厚度。在各个实施例中，在实施预处理工艺之后，在处理的功函金属层上方沉积另一金属层。本发明实施例涉及原子层沉积方法及其结构。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 沉积 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造的方法，包括：在衬底上方形成栅极介电层；在所述栅极介电层上方沉积功函金属层，其中，所述功函金属层具有第一厚度；实施所述功函金属层的预处理工艺，其中，所述预处理工艺从所述功函金属层的顶面去除被氧化层以形成处理的功函金属层，并且其中，所述处理的功函金属层具有小于所述第一厚度的第二厚度；以及在实施所述预处理工艺之后，在所述处理的功函金属层上方沉积另一金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610903179.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种提高发电效率的光伏发电设备
- 下一篇：一种用于渔光互补光伏支架的地桩
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
