[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201610875305.6 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106409920B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 胡合合;温钰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法。薄膜晶体管包括栅极层、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极，其中栅极绝缘层位于栅极层与有源层之间，源极和漏极位于栅极绝缘层背离栅极层的一侧，且相对设置；栅极层具有凹槽，有源层在衬底基板上的投影至少覆盖栅极层的凹槽在衬底基板上的投影。在本发明实施例中，当薄膜晶体管通电时，有源层位于源极和漏极之间的部分形成沟道，在栅极层的控制下，沟道内的电场分布较为均匀，栅极层对沟道的控制能力较强，进而可以减少漏电流增大以及阈值电压不稳定等短沟道效应，从而有利于提高显示装置的产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极层、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极，其中：所述栅极绝缘层位于所述栅极层与所述有源层之间；所述源极和漏极位于所述栅极绝缘层背离所述栅极层的一侧，且相对设置；所述栅极层具有凹槽，所述有源层在衬底基板上的投影至少覆盖所述凹槽在衬底基板上的投影；其中：所述有源层位于源极和漏极之间的部分的厚度与栅极绝缘层的厚度之和不大于所述栅极层的凹槽的深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610875305.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：机顶盒运行过程中的缺陷记录方法及装置
- 下一篇：使用列的图像分割方法和系统
- 同类专利
- 专利分类
