[发明专利]一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法在审
| 申请号： | 201610867091.8 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106531614A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘三姐;郑新和;侯彩霞;王瑾;何荧峰;李美玲 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/04;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司11401 | 代理人： | 臯吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及到半导体工艺和器件领域，具体指一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法。在蓝宝石衬底上MOCVD生长N‑极性的GaN模板，在模板上制备进行极性变换的AlN，并对其进行图形制作，最后在该模板和AlN上使用进行GaN厚膜生长，有望满足高功率器件需要厚度达1mm的极性交替的GaN要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 衬底 生长 具有 不同 极性 gan 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）在蓝宝石衬底上生长N‑极性 GaN，得蓝宝石衬底/N‑极性 GaN结构作为模板；（2）在所述模板上沉积极性反转层AlN，得蓝宝石衬底/N‑极性 GaN/ AlN结构；（3）将极性反转层AlN图案化，得蓝宝石衬底/N‑极性 GaN/图案化AlN结构；所述图案化是指按照一定的图案去除部分极性反转层AlN，保留剩余部分极性反转层AlN，同时使相应的位于去除的部分极性反转层AlN的下层的N‑极性GaN裸露；（4）在所述蓝宝石衬底/N‑极性 GaN/图案化AlN结构上生长GaN，在所述剩余部分极性反转层AlN上生长的GaN为Ga‑极性，在裸露的N‑极性GaN上生长的GaN为N‑极性，得到在蓝宝石衬底上生长的具有不同极性GaN的结构。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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