[发明专利]半导体制备和研发制造设施的资本设备上使用的检修隧道有效

专利信息
申请号: 201610860001.2 申请日: 2016-09-28
公开(公告)号: CN106992132B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 大卫·特鲁塞尔;约翰·多尔蒂;迈克尔·凯洛格;克里斯多夫·佩纳;理查德·古尔德;克雷·孔克尔 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠;张华
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体制备和研发制造设施的资本设备上使用的检修隧道,提供了一种用于处理衬底的系统,所述系统包括:被配置成往来于一个或多个处理模块输送晶片的晶片输送组件,所述晶片输送组件具有至少一个晶片输送模块,其中所述至少一个晶片输送模块的横向侧被配置成耦合到所述一个或多个处理模块;检修层被限定在晶片输送组件的下方,所述检修层被限定在比制造设施层的高度低的高度处,所述系统放置在所述制造设施层中。
搜索关键词: 半导体 制备 研发 制造 设施 资本 设备 使用 检修 隧道
【主权项】:
用于处理晶片的集群工具系统,其包括:晶片输送组件,其沿所述集群工具系统的纵轴延伸,所述晶片输送组件具有被定向为朝向设备前端模块(EFEM)的前端,所述晶片输送组件具有与所述前端相对的后端;沿所述晶片输送组件的第一横向侧耦合到所述晶片输送组件的至少两个处理模块,所述晶片输送组件被配置成往来于沿所述第一横向侧耦合的所述至少两个处理模块输送晶片;沿所述晶片输送组件的第二横向侧耦合到所述晶片输送组件的至少两个处理模块,所述晶片输送组件被配置成往来于沿所述第二横向侧耦合的所述至少两个处理模块输送晶片;检修隧道,其被限定在所述晶片输送组件的下方,所述检修隧道沿着所述集群工具系统的所述纵轴从所述晶片输送组件的所述前端延伸到所述后端,所述检修隧道具有垂直尺寸,所述垂直尺寸被限定在所述晶片输送组件的底面和定位在所述晶片输送组件下方的检修层之间,所述检修层被限定在比所述制造设施层的高度低的高度处,所述集群工具系统放置在所述制造设施层中。
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