[发明专利]发光器件

摘要

本发明涉及发光器件，提供了一种在提高响应速度的同时抑制光输出的降低的发光器件。如图1所示，该发光器件包括四个正方形元件区域，所述四个正方形元件区域以二乘二阵列形式布置且元件区域的边对准。发光区域设置在元件区域的中心侧处的拐角附近，并且发光区域位于整个元件区域的中心附近。各个发光区域的平面图案形成为使得p电极和n电极的平面图案未设置在被发光区域夹在中间的区域中。

主权项

1.一种III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件具有形成在公共的连续衬底上的多个元件区域，每个元件区域包括：III族氮化物半导体层，所述III族氮化物半导体层由n型层、形成在所述n型层上的发光层和形成在所述发光层上的p型层形成；沟槽，所述沟槽具有从所述p型层延伸至至少所述n型层的十字形状；电流阻挡层，所述电流阻挡层形成在所述p型层的除向外发光的发光区域之外的部分上；透明电极，所述透明电极形成在所述发光区域和所述电流阻挡层上，所述透明电极的直接接触所述p型层的区域是所述发光区域；p电极，所述p电极形成在所述透明电极上；以及n电极，所述n电极形成在n型层的通过从所述p型层延伸的沟槽露出的部分上；其中围绕作为平面图中整个发光器件的中心的器件中心，所述元件区域被分成二乘二阵列形式的四个元件区域；其中各个所述发光区域局限于所述元件区域的四个拐角中的一个特定拐角附近，所述特定拐角为最接近所述器件中心的拐角，每个发光区域的面积占每个元件区域面积的1％至30％；其中在平面图中所述p电极设置在所述发光区域与所述n电极之间，以及其中当各个元件区域的平面图案的面积被直线均分成靠近和远离所述中心的两个区域时，各个发光区域被包括在靠近整个发光器件的所述中心的区域中。